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ST-MRAM芯片诞生:比固态硬盘快500倍

BEAREYES.COM 北京 [ 翻译 ] 作者:power 日期:2012年11月14日

    来自国外媒体的最新报道,美国亚利桑那州Everspin科技公司近日宣布,该公司推出了全球首款MRAM磁性随机存储器,而这种存储器将会为该公司的客户推出自有的ST-MRAM转矩磁阻随机存取存储器芯片。这种存储介质拥有超高速的存储能力,据称比目前主流的固态硬盘还要快500倍,不过价格也相当的高,同等容量下价格要比固态硬盘高出50倍。

固态硬盘/存储/芯片/ST-MRAM

    在性能方面ST-MRAM拥有16亿IOPS以及3.2GB/s的带宽,延迟时间为纳秒级别,如此高的性能的确是普通的固态硬盘所无法比拟的,目前顶级的OCZ 512GB Vertex 4固态硬盘拥有12万的IOPS和550MB/s的存储速度,而延迟方面也是毫秒级别的。不过由于ST-MRAM较为高昂的价格,其并不会成为固态硬盘的一个取代方案,而是一种辅助的存储方案,毕竟相比普通的固态硬盘其售价高出了50倍,目前固态硬盘的价格已经逐步进入到0.5美元每GB的水平,而相信不用多久固态硬盘的价格会向HDD硬盘看齐。

    另外ST-MRAM存储对于功耗的要求也较高,所以要成为一种主流的存储方案还需要很长的时间,目前64GB的NAND芯片在使用的时候大约为80毫瓦的功耗,而1GB的ST-MRAM芯片则需要400毫瓦的功耗,如此高的功耗让ST-MRAM要想变成一种适合移动设备使用的存储介质还是很难做到的,所以在高价和高功耗的条件下ST-MRAM依然还有很长的路要走。

BEAREYES.COM 北京 日期:2012年11月14日

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